コンビナトリアル技術を用いた薄膜試料を作成いたします。創業以来、大変ご好評をいただいているユニークなサービスです。
経験豊かな技術スタッフが新機能性材料開発をお手伝いします。
熱電材料・強誘電体・強磁性体・バッテリー電極・相変化メモリ材料・金属間化合物など、あらゆる固体素子に用いられる機能性材料を成膜いたします。
任意組成の単一組成膜、2元および3元の組成傾斜膜が作成できます。
薄膜堆積法として、スパッタ法、PLD(Pulsed Laser Deposition)法を用いています。
ご要望により、組成変化に従った種々の多点物理分析をいたします。
左の例では、Si基板上の HfO2, Y2O3, Al2O3 の正三角形の3元コンビナトリアル組成傾斜試料にPt電極を形成して C-V, I-Vの電気的特性を行い、高誘電率層の評価をしたものです。左図の上から、誘電率、フラットバンド電位、リーク電流の組成マッピングを示しています。1試料中の246組成が同時評価されています。
C-V、I-V、半導体特性などなどの電気的特性評価 (室温~400℃)
透過率測定、分光エリプソメトリなどの光学特性評価
マイクロビームXRDを用いた結晶性評価
マイクロビームXRF、XPS、Auger分光などによる組成評価
使いやすさが特長のコンビナトリアル・スパッタ成膜装置です。旧製品と比べ、2インチ・カソードを6基装備して、あらゆる薄膜材料の合成をスパッタ法で行います。
移動マスク・基板回転機構からなる2元・3元のコンビナトリアル成膜手順を、レシピに従って全自動で実行します。
プロセス・ラインに適合可能な4インチウエハに対応し、Siウエハ上で650℃までの加熱成膜が可能です。
オプションとして、1,000℃までのポストアニーラー、四重極ガス分析器、Si専用表面放射温度計などを装備できます。
6元ののコンビナトリアル・スパッタ成膜装置のプロセス性能をそのままに、3元コンビ装置としてコンパクトにまとめました。6元装置 CMS-6420と比べて、スパッタ・カソードが3基であること、試料基板が2インチであること以外は、プロセス性能、制御能力は同一です。
移動マスク・基板回転機構からなる2元・3元のコンビナトリアル成膜手順を、レシピに従って全自動で実行します。
2インチSiウエハ上で650℃までの加熱コンビ成膜が可能です。
オプションとして、1,000℃までのポストアニーラー、四重極ガス分析器、Si専用表面放射温度計などを装備できるのも同一です。
コンビナトリアル・スパッタ装置 CMS-6420間、あるいは、パスカル社製PLD装置間で、大気暴露なしに成膜試料を超高真空下で移載搬送できます。
L/L室と接続ポート部は、独立したターボ分子ポンプで排気され、試料を常に超高真空下に持ちます。
スパッタ装置用、PLD装置用の2つの接続ポートを備え、各試料ホルダーへの試料の移載が可能です。
無停電電源でバックアップされ、30分以上の移動時の無通電可動が可能です。
〒300-2635
つくば市東光台5-9-5
TEL 029-869-8620
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